对于光刻胶的发展，目前可以分为四个阶段，KTFR光刻胶、g线/i线光刻胶、KrF光刻胶以及ArF光刻胶。
ArF光刻胶是世界最新的光刻胶技术，它继承了KrF光刻胶的基础，也属于化学放大光刻胶。
半导体工艺开发联IMEC正式将ArF光刻胶用作两千年下一代半导体0.13μm工艺的抗蚀剂。
只是相对于世界前沿的光刻胶技术，华夏的光刻胶发展简直称得上可怜。
华夏光刻胶的研究始于六七十年代，六七年的时候，华夏KPR型负性光刻胶就已经投产。
七零年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。
当时华夏的技术虽然比不上美国，但与日本研究时间相同，技术水平也相差无几。
只是之后因为种种原因，差距越来越大。
第275节
现在产品已经发展到ArF光刻胶阶段，而国内还在KTFR光刻胶阶段，后续研究一直停滞，相差三代。
这不仅仅是因为资金不够的原因，更大程度是因为电子行业与军事紧密相关，国外技术封锁，很难交流。
现在电子工业发展迅速，而华夏芯片的劣势也越来越明显，就靠着一些企业自己研究发展，进展缓慢，所以，政府想要重启光刻胶的研究。
江小溪听到这里，作为重生的人自然知道光刻机，一直到2020年，华夏的高端芯片依旧受制于人，而半导体工业中，下游设计已经迎头赶上，处于世界第一梯队，而上游设备和材料领域却依旧落后。
以光刻胶为例，国外g线/i线光刻胶七十年代投产，KrF光刻胶八十年代投产，现在ArF光刻胶两千年投产。
可是华夏呢，2020年的时候，光刻胶企业仅有北京科华微电子的KrF光刻胶可以量产供应，与国外有着将近四十年的差距。
好在现在研发虽然不是最优的时候，但是也不晚，两千年只是一个开始，现在着手还来得及。